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三菱电机开始发售 “卫星通信用C波段100W GaN HEMT”

发布时间:2019-10-20 14:47:28 编辑:笔名

三菱电机株式会社宣布研发出两款用于C波段※1卫星通信地面站※2的GaN HEMT功率放大器:MGFC50G5867 和MGFC47G5867 ,拥有100W和50W的业届输出※5功率,样品从2012年1月10日开始提供。

※1 频率4 GHz~8GHz的微波

※2 卫星通信时设置在地面的

※3 Gallium Nitride:氮化镓

※4 High Electron Mobility Transistor:高电子迁移率晶体管

※5 截至2011年11月29日,根据本公司调查。在卫星通信地面站用的GaN HEMT中

 

 

 

图1  GaN HEMT

左:MGFC50G5867 右:MGFC47G5867

新产品的特点 

 

1.大功率、高效率有助于功率放大器的小型化

采用耐压性能卓越的GaN,可在40V的高电压下工作

大功率,输出功率分别达到100W(MGFC50G5867)和50W(MGFC47G5867)

高效率,功率附加效率※6达到43%以上

※6 供电功率转换为输出功率时的效率。数值越高,效率越佳。

2.低失真特性有助于提高信号质量

输出功率为40W(46dBm)时IM3※7=-25dBc,实现低失真特性(MGFC50G5867)

※ 7 Inter Modulation:当2个信号同时输入到放大器时产生的失真现象。数值越低,性能越佳。

 

※8 Heterostructure Field Effect Transistor:异质结场效应晶体管

 

销售概要 

  产品名

型号

概要

样品出厂日期

输出功率

增益

GaN HEMT

MGFC50G5867

50dBm(100W)

10dB

2012年

1月10日

MGFC47G5867

47dBm(50W)

10dB

销售目标 

 

卫星通信基站使用的是采用GaAs(砷化镓)HFET的功率放大器;但因GaAs HFET难以达到大功率,故有时需要多个HFET组合使用,如何实现功率放大器小型化成了一大课题。

本公司之前推出用于卫星功率放大器的C波段GaN HEMT产品,该产品采用功率附加效率卓越的GaN材质,比GaAs具有更高饱和电子速率和更高击穿电压,已从2010年3月开始提供样品。本次推出的2款 GaN 内匹配HEMT 新产品,可用于卫星通信基站的功率放大器,输出功率分别为100W、50W,亦将提供样品。这两款产品将有助于推进基站功率放大器的小型化。

 

主要规格 

型号

MGFC50G5867

MGFC47G5867

建议工作条件

VDS※9

 40V

 40V

IDQ※10

 1.15A

 0.58A

频率

5.8GHz~6.7GHz(C波段)

3dB增益

压缩点功率

P3dB

(标准值)

100W

50W

线性功率增益

Glp※11

(标准值)

10dB

10dB

功率附加效率

PAE※12

(标准值)

 43%

 45%

※9  Drain to Source Voltage:漏极电压

※10 Quiescent Drain Current:静态漏电流

※11 Linear Gain(测试频率 f=6.Hz)

※12 Power Added Efficiency(测试频率f=6.4GHz 、@P3dB)

 

制作工厂

三菱电机株式会社 高频制作所

〒664-8641 兵库县伊丹市瑞原4丁目1番地

 

销售公司

三菱电机机电(上海)有限公司

上海市长宁区兴义路8号上海万都中心29楼

邮编:200336

TEL +86-21-5208-2030 FAX +86-21-5208-1502

 

三菱电机(香港)有限公司

香港北角电气道169号宏利保险中心10字楼

TEL +852-2210-0555 FAX +852-2510-9803

 

 

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